查光束匀化效果。”
章延杰立马调出照明光学模块的实时数据，屏幕上弹出一组光束截面分布图。
淡紫色的光斑均匀地覆盖在模拟掩模区域，边缘没有出现丝毫能量衰减的阴影。
“陈老师，光束匀化度99.2%，符合220瓦功率下的光学适配要求，成像光学系统已完成自动对焦校准！”
章延杰扬声回应道。
这一次，控制室内的骚动比方才更加明显。
有人悄悄抹了把眼角，还有人用拳头轻轻捶了下桌面。
从107瓦到220瓦，不仅仅是数字的提升，更是证明他们的MCDE-EUV光源既能“点亮”，也能在更高功率下保持稳定，这意味着量产的可能性又近了一步。
功率是制约工艺节点的重要因素！
制程微缩需实现更小的线宽和间距，要求EUV光具备更高的光学对比度，而功率是对比度的核心支撑。
220瓦的稳定功率，足以满足7纳米制程的芯片生产所需。
陈延森嗯了一声，接着吩咐道：“准备晶圆台与掩模台同步测试，加载测试晶圆，按28纳米制程参数设置曝光程序。”
汪象朝马上响应：“测试晶圆已通过机械臂送入预对准工位，掩模台已加载28纳米标准电路掩模版，同步精度校准中。”
顷刻间，众人的视线重新聚焦在主监控屏上。
屏幕被分成了四个画面：左上角是光源功率与等离子体状态，右上角是光学系统的光束分布，左下角是晶圆台的实时坐标，右下角则是掩模台的运动轨迹。
随着汪象朝按下按钮，两个精密平台迅速移动，它们的运动轨迹像两条精准咬合的齿轮，每一次微调都控制在0.1纳米以内。
“同步精度0.08纳米！已达预设标准！”
汪象朝说道。
陈延森看了一眼时间，此刻是晚上8点37分，距离真空泵启动已经过去了半个多小时。
他俯下身子，对着麦克风，向实验室的工作人员叮嘱道：“曝光开始，单次曝光时间设置为0.5秒，记录所有参数。”
核心腔室的观察窗内，淡紫色的微光骤然亮了一下，旋即恢复柔和。
光路末端的探测器疯狂刷新着数据，屏幕上跳出一行行代表“曝光能量密度”、“线宽均匀度”、“图形套刻精度”的数值。
每一个数字都在朝着合格的方向靠近！
0.5秒的时间，却像一个世纪那么漫长。
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