这一次，学术界的第一反应却是质疑。
「软X射线光刻？压根不可能实现工业化！」
剑桥大学的物理教授詹姆斯在个人社交帐号上发文批驳。
「软X射线的波长确实在0.1—10纳米之间，理论上可以达到皮米级精度。
但问题在于，这个波段的光源几乎会被所有材料吸收！
透射式光学系统无法工作，反射式系统的效率又非常低下，更不用说光刻胶对软X射线的敏感度问题了。
我承认星源科技在半导体领域的技术实力和行业地位，但这并不意味著它可以用夸大的宣传来误导公众。」
他的质疑，在半导体圈内引起了广泛共鸣。
东京大学的半导体研究团队则从材料学角度提出了质疑。
「软X射线的穿透力太强，会对矽晶圆造成辐射损伤，影响器件的可靠性。」
「就算勉强制造出晶片，良品率也将低到令人发指的程度！」
就连国内，也有不少专家持怀疑态度。
质疑声在网络上越演越烈。
一篇名为《为什么软X射线光刻机是伪命题》的技术分析文章，在逼乎和Reddit上同时登上了热榜前三。
文章作者是一个在湾积电工作了十五年的资深工程师，他在文中详细阐述了软X射线光刻面临的三大技术障碍。
第一，光源问题。
软X射线通常由同步辐射或雷射等离子体产生，但无论哪种方式，功率都远远不够。
就拿EUV光刻机来说，使用的是13.5纳米的极紫外光，光源功率高达数十千瓦。
而软X射线波长更短、光子能量更高，想要实现生产所需的曝光效率，除了更亮、更稳定的光源，还得解决能量转换效率、散热和连续运行等一系列工程难题。
第二，光学系统问题。
软X射线会被材料吸收，折射透镜没法运作。
唯一可行的方案是多层膜反射镜，但世界最先进的钼矽多层膜，在软X射线波段的反射率也仅有70%。
而一台光刻机里有几十面反射镜，每次反射损失30%的光强，就会造成到达晶圆的光强连初始值的1%都不到。
第三，掩模版问题。
软X射线无法穿透实体掩模版，最佳方案是使用反射式掩模。
但反射式掩模的制造难度太高了，任何微小的缺陷都会在晶圆上被放大，而且掩模版本身也会吸收大量光能，导致热变形。
不怪他们怀疑！
在既有
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