”
大家都深知设备限制，不得不自力更生。
最开始团队只能自制光刻掩模，通过反复试验优化曝光和显影工艺。
设计最简单的光学系统，利用现有显微镜改装，勉强实现微米级图案化。
这样搞，无论是良率还是稳定性都特别差。
好在东德的合作很快到来，就像一阵春风，东德在光学仪器上，帮助他们快速解决了原本无法解决的关卡。
一个接一个的克服，能做到微米级的步进式光刻机打造出来后，芯片印刷上的难题都迎刃而解。
按照原历史，华国本来也在1965年，由华国科学院微电子研究所和申海光学仪器厂一起合作，研发出了华国第一台65型接触式光刻机。
《1956-1967年科学技术发展远景规划纲要》里关于半导体技术制定的计划，几乎都实现了。
只是现在，因为有了更具体的目标。
65式这种只是基于研发的机器是肯定无法满足。
华国和东德合作，造出来要更符合实际生产需要，已经和原本1985年才搞出来的分步光刻机相差不大了。
剩下的就是高纯度的硅，国内硅片常含杂质。
进口高纯硅受限。
从区域精炼工艺到炉子改造，再到温度精准监控。
这些都无法依赖东德，只能靠自己。
树莓派在这个过程中起到了巨大作用。
改进后的区域精炼设备，如果只考虑温度控制系统，这套基于树莓派计算打造的温度控制系统，比德州仪器的还要更先进。
不过越是研发，华国科研人员内心的紧迫感就更甚。
毕竟整个51区知道树莓派存在的人里，从上到下，没有一个会觉得树莓派只有华国有。
大家都很清楚，阿美莉卡也有，而且只会更多。
在这样的想法下，他们都以为自己只是接近阿美莉卡最先进水平。
压根想不到，他们基于便携式计算机打造的整套技术，有不少都站在了世界先进水平。
光刻、刻蚀和互连工艺是集成电路制造的核心，过去华国缺乏相关经验。
光刻掩模对准困难，刻蚀深度难以控制，金属互连常出现断路或短路。
DTL电路逻辑功能验证了，但良率太低，互连问题始终无法解决。
金属沉积的均匀性不够。
图案的精度不够。
他们几乎是在和时间赛跑。
最终，终于在去年年底的时候，成功在一平方厘米的硅片上制造
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